STMicroelectronics
STMicroelectronics| 제품 모델 | STI11NM60ND | 제조사 | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 48718 pcs stock | 데이터 시트 | STI11NM60ND.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±25V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | I2PAK |
| 연속 | FDmesh™ II | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 450 mOhm @ 5A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 90W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 850pF @ 50V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V | 상세 설명 | N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Tc) | ||
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