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SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1

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Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
제품 모델:
SI8816EDB-T2-E1
제조업체 / 브랜드:
Electro-Films (EFI) / Vishay
제품 설명:
MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
사양서:
SI8816EDB-T2-E1.pdf
RoHS 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 상태:
336234 pcs stock
에서 운송된다:
Hong Kong
선적 방법:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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SI8816EDB-T2-E1의 사양

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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제품 모델 SI8816EDB-T2-E1 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 336234 pcs stock 데이터 시트 SI8816EDB-T2-E1.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 1.4V @ 250µA Vgs (최대) ±12V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 4-Microfoot
연속 TrenchFET® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 109 mOhm @ 1A, 10V
전력 소비 (최대) 500mW (Ta) 포장 Original-Reel®
패키지 / 케이스 4-XFBGA 다른 이름들 SI8816EDB-T2-E1DKR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 46 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 195pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 8nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V 상세 설명 N-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) -  
종료

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