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BSC12DN20NS3GATMA1

BSC12DN20NS3GATMA1

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International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
제품 모델:
BSC12DN20NS3GATMA1
제조업체 / 브랜드:
International Rectifier (Infineon Technologies)
제품 설명:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
사양서:
BSC12DN20NS3GATMA1.pdf
RoHS 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 상태:
113167 pcs stock
에서 운송된다:
Hong Kong
선적 방법:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
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제품 모델 BSC12DN20NS3GATMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 113167 pcs stock 데이터 시트 BSC12DN20NS3GATMA1.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 25µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PG-TDSON-8
연속 OptiMOS™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 125 mOhm @ 5.7A, 10V
전력 소비 (최대) 50W (Tc) 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 다른 이름들 BSC12DN20NS3 G
BSC12DN20NS3G
BSC12DN20NS3GATMA1TR
BSC12DN20NS3GTR
BSC12DN20NS3GTR-ND
SP000781774
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 680pF @ 100V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 8.7nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 200V
상세 설명 N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.3A (Tc)
종료

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