제품 모델 | TPHR9003NL,L1Q | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 67440 pcs stock | 데이터 시트 | TPHR9003NL,L1Q.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.3V @ 1mA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 8-SOP Advance (5x5) |
연속 | U-MOSVIII-H | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 0.9 mOhm @ 30A, 10V |
전력 소비 (최대) | 1.6W (Ta), 78W (Tc) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 다른 이름들 | TPHR9003NL,L1Q(M TPHR9003NL,L1QTR TPHR9003NL,L1QTR-ND TPHR9003NLL1QTR |
작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6900pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 74nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | N-Channel 30V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60A (Tc) |
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