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TPHR9003NL,L1Q

TPHR9003NL,L1Q

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Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
제품 모델:
TPHR9003NL,L1Q
제조업체 / 브랜드:
Toshiba Semiconductor and Storage
제품 설명:
MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
사양서:
TPHR9003NL,L1Q.pdf
RoHS 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 상태:
67440 pcs stock
에서 운송된다:
Hong Kong
선적 방법:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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TPHR9003NL,L1Q
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TPHR9003NL,L1Q의 사양

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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제품 모델 TPHR9003NL,L1Q 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 67440 pcs stock 데이터 시트 TPHR9003NL,L1Q.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.3V @ 1mA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 8-SOP Advance (5x5)
연속 U-MOSVIII-H 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 0.9 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대) 1.6W (Ta), 78W (Tc) 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 다른 이름들 TPHR9003NL,L1Q(M
TPHR9003NL,L1QTR
TPHR9003NL,L1QTR-ND
TPHR9003NLL1QTR
작동 온도 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6900pF @ 15V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 74nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Tc)
종료

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